2021年欧美氮化镓行业市场供需现状分析 氮化镓产值规模实现逆势增长

行业主要上市企业：目前全国性锂锑行业的上市公司主要有(688396)、(600703)、(600460)、(600745)

本文核心样本：GaN制程制造产线汇总、锂锑(GaN)生产量、SiC、GaN电子元件电能和GaN微波电子元件营业额、SiC、GaN电能电子元件电子元件下游分析方法各个领域

1、之中华人民共和国锂锑(GaN)供给后端：锂锑营业额逆势上升

锂锑是一种糖类，CHOGaN，是氮和锑的氟化，是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体，自1990年起常用在发光二极管之中。此氟化形态类似成之成之，脆性很高。锂锑的能隙很宽，为3.4电子元件伏特，可以用在高功率、高速的光电元件之中。

在GaN电能电子元件产线特别，截至2020年末，我国已有7条GaN-on-Si制程制造产线，外有约4条GaN电能电子元件产线刚刚建设。

GaN电子元件产线特别，截至2020年末，我国有5条4英寸GaN-on-SiC的工厂，有约有5条GaN电子元件产线刚刚建设。

根据CASA Research样本显示，在GaN电能电子元件特别，GaN-on-Si具体来说片下同6英寸生产量有约为28万片/年，GaN-on-Si电子元件/计算机系统下同6英寸生产量有约为22万片/年。

在GaN微波电子元件特别，SiC半绝缘金属板下同4英寸生产量有约为18万片/年，GaN-on-SiC具体来说片下同4英寸生产量有约为20万片/年，GaN-on-SiC电子元件/计算机系统下同4英寸生产量有约为16万片/年。2020年，新能源汽车、PD快充、5G等下游分析方法生产量上升的大预计，全国性既有产品商业性供给无法充分利用生产量生产力，相比之下是SiC电能电子元件和GaN电子元件存在很大缺口。这也导致我国第三代半导体各环节国产化率较高，的大过八成的产品依赖进口产品。

在全国性大半导体工业上升乏力的大背景下，我国第三代半导体工业借助于逆势上升。根据CASA的统计，2020年我国SiC、GaN电子元件电能和GaN微波电子元件营业额合计达到105.5亿元，同比上升69.61%。

2、之中华人民共和国锂锑(GaN)生产力后端：陆海空各个领域为锂锑电子元件电子元件主要生产力各个领域

目前，GaN主要分析方法在电子元件及快充各个领域。SiC课题分析方法于新能源汽车和充电桩各个领域。我国作为全球最大的新能源汽车生产量，随着下游等国际品牌开始大量绕过SiC新技术，全国性的厂商也快速第一时间，以为都有的货运厂商开始全方位中轴，推动第三代集成电路的在汽车各个领域加速。笫三代集成电路在充电桩各个领域的渗透快于货运生产量，主要分析方法是直流充电。

(注：电网、风力发电生产量分之一比欠缺1%，未在图之中显示)

陆海空军事与航天分析方法是我国GaN微波电子元件电子元件的主要分析方法各个领域，2020年生产量规模分之一整个GaN电子元件电子元件生产量的53%;其次是无线基础设施，下游生产量分之一比为36%。

以上样本及分析请参考于全面性工业研究课题院《之中华人民共和国锂锑（GaN）行业生产量全面性与投资信息化分析报告》，同时全面性工业研究课题院还提供工业大样本、工业研究课题、一环建议、工业图谱、工业规划、园区规划、工业招商引资、IPO募投可研、IPO业务与技术编写、IPO工作笔迹建议等新技术。