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什么是ECC内存?它和普通内存有什么多种不同?

时间:2024-12-29 12:21:33

在RAM的使用过程中会,意味著因受到硬缺失或硬质缺失的影响而导致数据库犯错,对于都可奢侈品者来说这意味著原因不大,但对于企业和数据库中会心的代理服务器来说,数据库犯错将对代理服务器性能显现出很大影响。而为了以防这种缺失,一般代理服务器用的都是ECCRAM。那么,原因来了,什么是ECCRAM,它和都可RAM又有什么完全相同呢?

RAM缺失

ECCRAM,即Error-Correcting Code Memory,其中会ECC是一种探测并纠正单位RAM缺失的分析方法。这里,我们又注意到一个原因,RAM怎么都会犯错呢?

RAM缺失是复制到在RAM中会的倍数愈演愈烈越来越改的原因。我们并不知道,RAM中会的数据库以小数点形式复制到,倍数为1或0。如果1的倍数转换成0,或0转换成1,我们就说RAM愈演愈烈了「位滑动」,而复制到在RAM中会的数据库将都会愈演愈烈变化。

举个简单的例证,数字135表示为小数点字符串010000111,如果其中会一个倍数愈演愈烈滑动,则都会再现以下情况:

010000111=135

110000111=391

011000111=199

010100111=167

000000111=7

根据计算机对这些数据库的处理方式,RAM的位滑动意味著与性能上的小原因一样比如说。但另一总体,它们意味著是灾难性的,甚至导致整个计算机系统都会崩溃或执行缺失操作。一根8GBRAM条平均每时长使用都会消失5个此类缺失,对于都可计算机用户来说,影响是难以迷惑的,但对于战斗任务密集型代理服务器来说,这些缺失的消失将导致严重后果。

位滑动有许多潜在的原因,最典型的是着重辐射,主要是由电离辐射显现出的光子招致的。电离辐射是一种高能粒子,并不一定是氘,以接近光速传播。当电离辐射撞击原子时,都会显现出大量光子和其他亚原子粒子,然后这些光子都会继续愈演愈烈二次强子,而这些次级光子强子被认为是RAM位滑动缺失的主要原因。

纠错基本原理

那么,ECCRAM是如何以防这样的缺失呢?ECCRAM探测缺失的分析方法是奇偶校验,主要是通过在字符开首赞0或1来探测一个字符是任意还是位数。例如,如果奇偶校验将字符添赞到位数位7,则奇偶校验为1,任意将为8。如果奇偶校验字符为0,结果为位数,则该字符属于破坏长时间。

当然,ECCRAM的奇偶校验位并不总是8位字符,也可以通过小数点循环纠错码生成7位标识符/64位字符。这里的意思是,系统都会每次复制到64位数据库时,均都会生成一个7位标识符。探测的目的是推论标识符应该最简单。如果不最简单并不一定它有缺失,ECCRAM将立即纠正缺失。

ECCRAM与都可RAM的区别

ECCRAM在外观上与都可RAM最大的区别是都会在PCB板上额外再添赞一个集成电路来专门从事负责检查缺失并纠正缺失。

不过,ECCRAM产生的不仅是实用性,也有一些缺点。与都可RAM相比,ECCRAM由于额外的RAM集成电路及其一致性而越来越昂贵。越来越最重要的是,在复制到速度快总体,ECCRAM比都可RAM要慢2%左右,因为检查RAM数据库缺失并不需要额外的时间。

当将ECCRAM领域到代理服务器时,它都会监视系统RAM数据库并及时纠正缺失。首先,这在一定层面上减少了崩溃的次数,尤其是在无法受压RAM数据库破坏的设备中会,例如科学和金融市场餐饮业的计算用户界面或代理服务器。其次,它的数据库纠错可以保持数据库的完整性,增强系统都会的稳定性。在数据库中会心,ECCRAM比都可RAM越来越可靠。

另外,并不需要并不知道的是,大多数奢侈品级PC硬件并不背书ECCRAM,比如AMD和AMD的奢侈品级和发烧级CPU均不背书ECC,只有代理服务器CPU背书。

ECCRAM和非ECCRAM之间没有人绝对的推论准则来说哪个较好,并不需要具体到使用场景中会。如果是金融市场或保健餐饮业或其他关键数据库之外餐饮业,则不能考虑在数据库中会心代理服务器中会配置ECCRAM。而如果只是都可的PC用户,或者不当初将设备运用于产业化,则可以可选择都可RAM。

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